Новости

格隆汇 30 марта — Согласно данным ETNews, Samsung Electronics завершила первый этап модернизации производства на заводе в Сиане, постепенно отказавшись от традиционной 128-слойной (V6) NAND флэш-памяти и начав массовое производство продуктов с 236 слоями (V8). В настоящее время Samsung Electronics планирует дальнейшее обновление и ожидает завершить переход к 286-слойной (V9) NAND флэш-памяти в этом году.

Это снижение показателей произошло до вспышки конфликта в Иране 28 февраля и пока не отражает влияние ситуации на Ближнем Востоке на цепочки поставок.

Согласно данным Golden Ten Data от 30 марта, член Комитета по национальной безопасности и внешней политике Исламского парламента Ирана Аладдин Боруджерди заявил 30 марта по местному времени, что, учитывая текущую международную ситуацию в области безопасности и внешние угрозы, Иран всерьёз рассматривает возможность выхода из Договора о нераспространении ядерного оружия и планирует ввести более строгую систему допуска и платы для судов, проходящих через Ормузский пролив. Боруджерди также заявил, что Иран в настоящее время полностью контролирует этот стратегический водный путь. Он сообщил, что Иран планирует создать совершенно новую систему управления проливом, используя в качестве примера турецкое управление Босфорским проливом и египетское управление Суэцким каналом, требуя, чтобы суда, проходящие через этот пролив, обязательно получали разрешение от иранской стороны и уплачивали соответствующие сборы за проход и услуги.