Xabarlarga ko‘ra, Samsung Electronics 1c DRAM ishlab chiqarish samaradorligi 80% dan oshdi, HBM4 esa deyarli 60% ga yetdi.

Glonghui 25-fevral kuni xabar berdi | Odaily'ning ma'lumotiga ko'ra, soha mutaxassislari Samsung Electronics ichida 1c DRAM uchun 80% samaradorlikka erishilganini ma'lum qildi, bu yuqori haroratli muhitda (issiqlik testi) erishilgan eng yuqori samaradorlikdir. 2025-yil to‘rtinchi choragida uning samaradorligi taxminan 60-70% bo‘lgan, hozir esa sezilarli darajada oshdi va may oyiga kelib 90% ga yetishi kutilmoqda. Soha mutaxassislari qo‘shimcha qilishicha, Samsung’ning 1c DRAM asosidagi HBM4 samaradorligi ham oshgan, hozirda deyarli 60% ga yetgan, o‘tgan yilning to‘rtinchi choragida esa taxminan 50% bo‘lgan.